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與NOR Flash的區(qū)別，NAND Flash以塊為單位進(jìn)行擦除和寫(xiě)入操作，具有更高的存儲(chǔ)密度和更快的讀寫(xiě)速度。

SK海力士在NAND Flash領(lǐng)域擁有先進(jìn)的技術(shù)和豐富的生產(chǎn)，其N(xiāo)AND Flash芯片產(chǎn)品以高容量、高性能和高可靠性而聞名

。這些芯片被廣泛應(yīng)用于設(shè)備、數(shù)費(fèi)電子和汽車(chē)電子等領(lǐng)域，了不同應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量的需求。

近年來(lái)，SK海力士不斷推動(dòng)NAND Flash技術(shù)的創(chuàng)新，致力于芯片的存儲(chǔ)密度、功耗、讀寫(xiě)速度等方面的性能。

例如，他們成功研發(fā)了3D NAND Flash技術(shù)，通過(guò)在垂直方向上堆疊多個(gè)存儲(chǔ)單元，實(shí)現(xiàn)了更高的存儲(chǔ)密度和更低的成本。

SK海力士的NAND Flash芯片是一種高性能、高可靠性的非易失性存儲(chǔ)芯片，被廣泛應(yīng)用于各種需要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的電子設(shè)備中。

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的不斷發(fā)展，相信SK海力士的NAND Flash芯片將繼續(xù)在存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。