一、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備概述

半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備主要應(yīng)用在半導(dǎo)體清洗行業(yè)，該設(shè)備采用先進(jìn)的反滲透技術(shù)和ED1技術(shù)，保證設(shè)備的質(zhì)量和出水水質(zhì)。該設(shè)備整體采用先進(jìn)的不銹鋼材質(zhì)，抗腐蝕能力強(qiáng)，同時也不會出現(xiàn)生銹問題，質(zhì)量可靠，受到用戶的一致好評。

二、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備工作原理

EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰、陽離子交換膜之間形成EDI單元，EDI工作原理如下圖所示，EDI組件中將一定數(shù)量的EDI單元間用網(wǎng)狀物隔開，形成濃水室。又在單元組兩端設(shè)置陰、陽電極。在直流電的推動下，通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進(jìn)入到濃水室面在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統(tǒng)，成為濃水，ED1設(shè)備一般以反滲透（RO)純水作為EDI給水．RO純水電導(dǎo)率一般是40-2μ S、cm(25℃).

EDI純水電阻率可以高達(dá)18MQ.cm(25℃),但是根據(jù)去離子水用途和系統(tǒng)配置設(shè)置，EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18. 2MΩ.cm(25℃)的純水。