描述

GR8853A是一種高壓、高速、自振蕩功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。 專有HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)使堅(jiān)固的單片結(jié)構(gòu)成為可能。 前端有一個(gè)類似于555計(jì)時(shí)器的可編程振蕩器。 輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級(jí)和內(nèi)部死機(jī)時(shí)間，旨在實(shí)現(xiàn)最小的驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。

兩個(gè)通道的傳播延遲匹配，以簡(jiǎn)化50%占空比應(yīng)用中的使用。 浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)配置的N-MOSFET或IGBT，該配置在高達(dá)600伏的高壓導(dǎo)軌上運(yùn)行。

特點(diǎn)

•為+600V的引導(dǎo)操作設(shè)計(jì)的浮動(dòng)通道

•瞬態(tài)電壓的噪聲抗性

•欠壓鎖定

•可編程振蕩器頻率

•兩個(gè)通道的匹配傳播延遲

•75uA的超低啟動(dòng)電流

•關(guān)機(jī)功能關(guān)閉兩個(gè)通道

•與Ry相位的低側(cè)輸出

應(yīng)用

•HID燈鎮(zhèn)流器

•PDP維持驅(qū)動(dòng)

• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

• SMPS