本設備主要用于半導體刻蝕,能夠兼容離子束刻蝕和反應離子刻蝕功能,使用氣態(tài)化學刻蝕劑與材料產(chǎn)生反應來進行刻蝕,并形成可從襯底上移除的揮發(fā)性副產(chǎn)品,通過真空系統(tǒng)排出,特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( PI) 薄膜、金屬等材料。
本設備主要用于半導體刻蝕,能夠兼容離子束刻蝕和反應離子刻蝕功能,使用氣態(tài)化學刻蝕劑與材料產(chǎn)生反應來進行刻蝕,并形成可從襯底上移除的揮發(fā)性副產(chǎn)品,通過真空系統(tǒng)排出,特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( PI) 薄膜、金屬等材料。
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