日本島津氮化硅基板真空加壓燒結(jié)爐PHSgr60/60/140適用于Si₃N₄氮化硅材料從脫氣到加壓燒結(jié)的連續(xù)處理。新能源汽車(chē)、高鐵、城市軌道交通、5G 基站等設(shè)備上大功率控制模塊的散熱基板 及汽車(chē)、風(fēng)電等設(shè)備上高精度、高轉(zhuǎn)速陶瓷軸承球的燒結(jié)處理。

用途：Si₃N₄氮化硅基板、Si₃N₄氮化硅軸承球、 Si₃N₄氮化硅結(jié)構(gòu)件

日本島津氮化硅基板真空加壓燒結(jié)爐PHSgr60/60/140技術(shù)規(guī)格

有效尺寸(mm)：600*600*1400

處理量(KG)：720

額定溫度(℃)：2200

真空度(Pa)：7x10-1

壓力：0.9MPaG

加熱電力：N2,Ar

島津作為日本真空爐專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)代表廠家，在硬質(zhì)合金，合金陶瓷，金屬注射成形的生產(chǎn)和研究開(kāi)發(fā)市場(chǎng)占有大部分的市場(chǎng)份額。經(jīng)過(guò)數(shù)十年培育出的技術(shù)和成熟的生產(chǎn)工藝，系列化生產(chǎn)的真空爐，可以為用戶提供高質(zhì)量的產(chǎn)品和服務(wù)。在中國(guó)，韓國(guó)等海外市場(chǎng)，也已擁有眾多的銷(xiāo)售業(yè)績(jī)，并得到客戶的青睞。

由于1MPa的低壓燒結(jié)，可以在一定程度上提高產(chǎn)品的抗彎強(qiáng)度和明顯減少偏差，因此部分替代6MPa的低壓爐使用，從而降低生產(chǎn)成本。