20多年來，市場對于低等效串聯(lián)電阻（ESR）的需求推動鉭電容器和鋁電容器應(yīng)用不斷發(fā)展。傳統(tǒng)的電解電容器已經(jīng)無法滿足主板等現(xiàn)代電子電路的要求。

借助Clevios™導電聚合物，電容器生產(chǎn)商便能抓住低ESR的市場機遇。如今，憑借優(yōu)異的導電性和溫度穩(wěn)定性，這種導電聚合物聚(3,4-乙烯二氧噻吩)（亦稱為PEDOT）在電容器行業(yè)被廣泛用于制造聚合物鉭電容器和鋁電容器。

然而，聚合物電容器僅適用于消費電子產(chǎn)品，這主要是因為此類電容器不具備高電壓能力，并且可靠性較低、直流漏電流值（DCL）相對較高。

賀利氏開發(fā)的Clevios K™聚合物分散體成功克服了聚合物電容器的這些局限性�，F(xiàn)在，終于可以生產(chǎn)具備高電壓、低DCL和高可靠性的聚合物電容器了。同時，這種聚合物電容器額定電壓的上限已從25 V提升到400 V。結(jié)合較低的DCL值，全新的聚合物電容器已經(jīng)可以用于汽車等對可靠性要求較高的應(yīng)用。如今，聚合物電容器甚至進入航空航天領(lǐng)域，這在此前是無法想象的。憑借低ESR和高紋波電流能力，通過較小的電容器，或者使用一個聚合物電容器來替換大量的大尺寸電解電容器，便能有效縮小電子電路的尺寸。

這項賦予電容器高電壓、低DCL和高可靠性的技術(shù)是通過賀利氏專為電容器應(yīng)用而開發(fā)的新型導電聚合物來實現(xiàn)的。導電聚合物在聚合物電容器中充當陰極材料：首先對多孔鋁電極或鉭電極進行陽極氧化處理，形成電介質(zhì)層，然后再沉積導電聚合物薄膜。而在此之前的很長一段時間，必須使用化學原位聚合法才能得到這種導電聚合物陰極薄膜：將導電聚合物的前驅(qū)體——單體（Clevios™ M V2）和氧化物（Clevios™ C）——導入多孔電容器主體中，在電容器內(nèi)部通過化學反應(yīng)形成陰極。有了Clevios K™導電聚合物分散體，導電聚合物無需任何化學原位反應(yīng)便能直接沉積。因此，這不僅提高了電容器的性能和可靠性，同時還能顯著簡化電容器的生產(chǎn)工藝。