128MB08SF04
• 單電壓讀寫操作–2.7-3.6V
• 串行接口體系結構–SPI兼容：模式0和模式3
• 高速時鐘頻率
• 低功耗：–有源讀取電流：320 mA（典型）–待機電流：160μA（典型）
• 靈活的擦除功能–統(tǒng)一的4 kbyte扇區(qū)–統(tǒng)一的32 kbyte覆蓋塊–統(tǒng)一的
• 64 kbyte覆蓋塊快速擦除和字節(jié)程序：–芯片擦除時間：35 ms（典型）–扇區(qū)/塊擦除時間：18ms（典型）–字節(jié)程序時間：7μs（典型）
• 自動地址增量（AAI）字編程-減少總芯片編程時間超過
• 字節(jié)程序操作寫入檢測結束–軟件輪詢狀態(tài)寄存器中的忙位–忙狀態(tài)讀數(shù)
• 在SO引腳上hold pin（hold）–在不取消選擇設備的情況下，將串行序列掛起到內存中
• 寫保護（wp）-啟用/禁用狀態(tài)寄存器的鎖定功能
• 軟件寫保護–通過狀態(tài)寄存器中的塊保護位進行寫保護
• 端接金盤
• 專為高溫應用設計
• 讀/寫溫度：最*55攝氏度，最*175攝氏度（200攝氏度應用請致電工廠）。
• 175攝氏度下的預期壽命為1000小時
