XTR2N0800

• 超過-60°C至+230°C溫度范圍的操作。

• 最小BVDSS=-40V。

• 允許的VGS范圍–5.5 V至+5.5 V。

• 低RDS（on）  XTR2N0525:2.3Ω@230°C

XTR2N0550:1.1Ω@230°C

• 最*峰值ID： XTR2N0525:5.3a@230°C

XTR2N0550:11.7A@230°C

• 按時(shí)（td（on）+tr）：XTR2N0525:26NSEC@230°C

XTR2N0550:31NSEC@230°C

• 關(guān)閉時(shí)間（td（關(guān)閉）+tf）：XTR2N0525:76NSEC@230°C

XTR2N0550:91NSEC@230°C

• 加固3-lead至257，8-lead側(cè)焊浸，8-lead SOIC，帶EPAD。

• 也可作為測(cè)試裸模。