氮化鋁優(yōu)良絕緣，高頻損耗小，耐熱，熱膨脹系數(shù)小，機(jī)械強(qiáng)度大，熱傳導(dǎo)好，耐化學(xué)腐蝕，穩(wěn)定，熱導(dǎo)率高，光傳輸特性好，電性能優(yōu)良，機(jī)械性能好，尺寸大小及厚度可根據(jù)顧客要求定制。公司已經(jīng)擁有一整套從日本、美國(guó)等國(guó)進(jìn)口的、配備完善的電子陶瓷生產(chǎn)設(shè)備和檢測(cè)儀器，是一家規(guī)�；�、采用流延法生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基板的企業(yè)，主導(dǎo)產(chǎn)品是氮化鋁陶瓷基板及其相關(guān)電子元器件。與國(guó)外同行企業(yè)相比較，在氮化鋁陶瓷基板流延漿料配制、低溫?zé)Y(jié)等方面，公司自有的氮化鋁陶瓷流延法生產(chǎn)技術(shù)與工藝，所生產(chǎn)的氮化鋁陶瓷基板具有高的熱導(dǎo)率、較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗、優(yōu)良的力學(xué)性能，可廣泛應(yīng)用于電子信息、電力電子等高技術(shù)領(lǐng)域。開(kāi)發(fā)了一種將氮化鋁 (AlN) 直接晶圓鍵合到鍍有 AlN 的晶圓的方法。晶圓直接鍵合需要光滑、平坦、親水的表面，這些表面能夠被適當(dāng)帶電的氫分子表面處理。華清可以提供非常光滑（Ra≤0.03um）和平坦表面的AlN襯底。我們的氮化鋁基板 (AlN) 有各種尺寸和厚度可供選擇。AMB(Active Metal Brazing Substrate)是DBC技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。它是利用釬料中含有的少量Ti、Zr等活性元素與陶瓷反應(yīng)，形成能被液態(tài)焊料潤(rùn)濕的反應(yīng)層，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬結(jié)合的方法。AMB是陶瓷與活性金屬焊料在高溫下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)結(jié)合而成，因此其結(jié)合強(qiáng)度更高，可靠性更好，AMB陶瓷基板具有更高的結(jié)合強(qiáng)度和冷熱循環(huán)特性，在大功率半導(dǎo)體模塊、高頻開(kāi)關(guān)、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車(chē)、電力機(jī)車(chē)、航空航天等應(yīng)用領(lǐng)域取得進(jìn)展。得益于大量的實(shí)時(shí)庫(kù)存，我們可以快速運(yùn)送您的零件，以便您開(kāi)始您的項(xiàng)目。請(qǐng)聯(lián)系我們定制。我們還可以提供導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá) 230W/mK 的氮化鋁 (AlN) 陶瓷。
