5.3.5 User flash 區(qū)擦除操作

User flash 區(qū)支持以下擦除方式：

l 頁擦除（512 字節(jié)）

l 塊擦除（16KB）

l 批量擦除（128KB）

Flash 存儲器在執(zhí)行擦除操作時，不能同時進行讀取操作，需要等待存儲器完成 擦除操作后，讀取操作才能正常進行，擦除完成后的 Flash 數據為全 1。

5.3.5.1 User flash 區(qū)頁擦除步驟

對 User flash 區(qū)進行頁擦除操作（512 字節(jié)），可遵循以下步驟：

1） 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 標志，以確認當前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作；

2） 檢查 FLASH_SR 寄存器，確認錯誤標志均已清除；

3） 解鎖 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0；（詳見：Flash 控 制寄存器解鎖）

4） 配置 FLASH_CR寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 01，進入頁擦除模式；

5） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PNB[7:0]位域，選擇待擦除區(qū)域的頁號；

6） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1，啟動 Flash 擦除，同時 BSY 標志將自動置 1；

7） 查詢并等待 BSY 標志清 0，表明擦除操作已完成，此時 ERASE 位也將自 動清 0；

8） 如果要對多個頁執(zhí)行擦除操作，可重復執(zhí)行步驟 5 到 7；

9） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 00，退出擦除模式；

10） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢復 FLASH_CR 寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

5.3.5.2 User flash 區(qū)塊擦除步驟

對 User flash 區(qū)進行塊擦除操作（16KB），可遵循以下步驟：

1） 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 標志，以確認當前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作；

2） 檢查 FLASH_SR 寄存器，確認錯誤標志均已清除；

3） 解鎖 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0；（詳見：Flash 控制寄存器解鎖）；

4） 配置 FLASH_CR寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 10，進入塊擦除模式；

5） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PNB[2:0]位域，選擇待擦除區(qū)域的塊號；

6） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1，啟動 Flash 擦除，同時 BSY 標志將自動置 1；7） 查詢并等待 BSY 標志清 0，表明擦除操作已完成，此時 ERASE 位也將自動清 0；

8） 如果要對多個塊執(zhí)行擦除，可重復執(zhí)行步驟 5 到 7；

9） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 00，退出擦除模式；

10） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢復 FLASH_CR 寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

5.3.5.3 User flash 區(qū)批量擦除步驟

批量擦除用于擦除整個 User flash 區(qū)域（128KB），可遵循以下步驟：

1） 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 標志，以確認當前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作；

2） 檢查 FLASH_SR 寄存器，確認錯誤標志均已清除；

3） 解鎖 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0（詳見：Flash 控制寄存器解鎖）；

4） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 11，進入批量擦除模式；

5） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1，啟動 Flash 擦除，同時 BSY標志將自動置 1；

6） 查詢并等待 BSY 標志清 0，表明擦除操作已完成，此時 ERASE 位也將自動清 0；

7） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 00，退出擦除模式；

8） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢復 FLASH_CR 寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

5.3.5.4 User flash 區(qū)擦除錯誤

在對 User flash 區(qū)執(zhí)行擦除操作的過程中，可能會出現以下錯誤標志：

l Flash 操作序列錯誤標志 PESERR：

- 在 ERASE 位被置 1 的同時，如果 ER_MODE[1:0] 位域為 00，則不會

啟動擦除操作，錯誤標志 PESERR 將置 1；

- 在 ERASE 位被置 1 的同時，如果待擦除的區(qū)域（PNB[7:0]）超出了

Flash 的有效空間，則不會啟動擦除操作，錯誤標志 PESERR 將置 1；

- 當有錯誤標志（PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR）

未被清除時，配置 ERASE 位置 1，則不會啟動擦除操作，錯誤標志PESERR 將置 1；

- ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH 中任意 2 個以上控制位同時置 1，

則不會啟動對應的操作，錯誤標志 PESERR 將置 1。

l 寫保護錯誤標志 WRPERR：

- 如果要擦除的區(qū)域受到安全保護機制的影響，包含有受保護的區(qū)域，

則不會啟動擦除操作，FLASH_SR 寄存器中的 WRPERR 標志將置 1。

5.3.6 User flash 區(qū)編程操作

對 Flash 存儲器執(zhí)行編程操作，每次能寫入的數據長度固定為 32bits（字），不支持其他長度的數據寫入。

FLASH 存儲器在執(zhí)行編程操作時，不能同時進行讀取操作，需要等待存儲器完成編程操作后，讀取操作才能正常進行。

與 Flash 擦除操作類似，編程操作也會受到安全保護機制的影響：

5.3.6.1 User flash 區(qū)編程操作步驟

對 User flash 區(qū)進行編程操作，可遵循以下步驟：

1） 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 標志，以確認當前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作；

2） 檢查 FLASH_SR 寄存器，確認錯誤標志均已清除；

3） 解鎖 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0（詳見：Flash 控制寄存器解鎖）；

4） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 為 1，進入 Flash 編程模式；

5） 向 Flash 目標地址寫入 32bits 數據，寫入后 BSY 標志將自動置 1；

6） 查詢并等待 BSY 標志清 0，表明編程操作已完成；7） 如果要對多個地址進行編程，可重復步驟 5 和 6；

8） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 位為 0，退出 Flash 編程模式；

9） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢復 FLASH_CR 寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

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