STGP19NC60KD原裝IGBT晶體管20A600V

特點：低電壓降（VcE（sat））低Cres/Cies比（無交叉?zhèn)鲗Т呕�率），短路耐受時間為10 us，IGBT與超快自由旋轉二極管合封。
應用：高頻逆變器，電機驅動器。
說明：該IGBT利用了先進的PowerMESHTM工藝，在切換性能和低狀態(tài)行為之間實現(xiàn)了良好的權衡。