2MBI100U4A-120
技術參數：
• Ic(A),Tc=80℃ 100
• Vce(sat),Max(V) 2.05
• Ton(us) 1.2
• Toff(us) 1.0
• Rth(j-c),K/W 0.23
• Pc(W) 540
• 封裝 M232
• 電路結構 半橋
性能概要：
•緊湊的封裝
目標應用：
• 變頻電機驅動
• AC和DC伺服驅動放大器
• 不間斷電源
• 工業(yè)機器，如電焊機
2MBI100U4A-120是IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優(yōu)勢。該技術可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃，運行溫度可達200℃。低損耗，2MBI100U4A-120 IGBT模塊具有低EMI噪聲，高可靠性，高運行結溫等優(yōu)點。主要應用在100KW光伏逆變器，電機驅動，電源等領域。
2MBI75U4A-120
2MBI75U4A-120
2MBI100U4A-120
2MBI100VA-120-50
2MBI150U4H-120-50
2MBI150VA-120-50
2MBI150VB-120-50
2MBI200U4B-120-50
2MBI200U4H-120-50
2MBI200VB-120-50
2MBI200VH-120-50
2MBI300U4H-120
2MBI300VD-120-50
2MBI300VD-120-50
2MBI300VH-120-50
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2MBI1400VXB-120P-54
6MBI50VA-120-50
6MBI50VA-120-50
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