綜述 EM78F734N是采用低功耗高速CMOS和噪聲高抗干擾工藝設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的8位微控制器。其內(nèi)部有一個(gè)4Kx13位 的片上電可擦除閃存和128x8位系統(tǒng)可編程EEPROM。它還提供3個(gè)保護(hù)位避免用戶的閃存程序被盜取。 具有增強(qiáng)的Flash-ROM特性的EM78F734N能夠?yàn)橛脩籼峁╅_(kāi)發(fā)和校驗(yàn)程序的便利。另外，此Flash-ROM器 件為開(kāi)發(fā)和編程工具提供了容易而有效的程序更新優(yōu)勢(shì)。用戶可以很容易的使用義隆燒錄器燒寫(xiě)自己的開(kāi)發(fā) 代碼。 2 特性 CPU 結(jié)構(gòu) K位閃存 0;8 位片上寄存器 (SRAM) 字節(jié)系統(tǒng)可編程EEPROM 級(jí)堆棧用于子程序嵌套 端口結(jié)構(gòu) 組雙向 I/O 端口 喚醒端口:P6 個(gè)可編程下拉I/O引腳 個(gè)可編程上拉I/O引腳 個(gè)可編程漏極開(kāi)路I/O引腳 外部中斷:P60 工作電壓范圍 V~5.5V時(shí)C ~C (工業(yè)級(jí)) V~5.5V時(shí)C ~C (商業(yè)級(jí)) 操作頻率范圍（基于2 個(gè)時(shí)鐘） RC偏移率(Vdd 3.3V) RC 偏移率(溫度: -10°C+40°C) 一個(gè)16 位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 TC1 : 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器/捕獲 一個(gè)8 位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 TC3 : 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器/PDO(可編程驅(qū)動(dòng)輸 出)/PWM(脈寬調(diào)制) 內(nèi)部 RC 頻率 漂移率 溫度 (-10°C+40°C) 制程 總計(jì) 455kHz ±1% ±1% ±2% 1 MHz ±1% ±1% ±2% 4 MHz ±1% ±1% ±2% 8 MHz ±1% ±1% ±2% 內(nèi)部 RC 頻率 漂移率 電壓 (3.0~ .6V) 制程 總計(jì) 455kHz ±1% ±1% ±2% 1 MHz ±1% ±1% ±2% 4 MHz ±1% ±1% ±2% 8 MHz ±1% ±1% ±2% 個(gè)可用的中斷: 內(nèi)部中斷: 4個(gè) 外部中斷: 4個(gè) 位精度8通道的模數(shù)轉(zhuǎn)換器 外設(shè)配置 位可選信號(hào)源、觸發(fā)沿和溢出中斷的實(shí)時(shí)時(shí)鐘 /計(jì)數(shù)器(TCC) 掉電 (休眠) 模式 級(jí)可編程電壓復(fù)位(LVR) (LVR):3.3V, 3.0V, 2.6V和 2.0V (POR) 個(gè)保護(hù)位防止閃存代碼被盜取 個(gè)配置寄存器以適應(yīng)用戶的需求 每條指令兩個(gè)時(shí)鐘周期 高抗 EFT 特性 兩個(gè)副頻:128kHz和16kHz, 16kHz由128kHz分頻所得 單指令周期命令 振蕩模式中的5個(gè)晶振范圍 晶振范圍 振蕩模式 20 MHz ~ 12 MHz HXT2 12 MHz~6 MHz HXT1 6 MHz ~ 1 MHz XT 1MHz ~ 100kHz LXT 可編程的獨(dú)立運(yùn)行看門(mén)狗定時(shí)器 封裝類(lèi)型: 引腳 DIP 300mil : EM78F734ND16 引腳SOP 300mil : EM78F734NSO16 引腳SOP 150mil : EM78F734NSO16A 引腳SSOP 150mil : EM78F734NSS16 引腳DIP 300mil : EM78F734ND18 引腳SOP 300mil : EM78F734NSO18 引腳DIP 300 mil : EM78F734ND20 引腳SOP 300mil : EM78F734NSO20 引腳 SSOP 209mil : EM78F734NSS20 注: 綠色產(chǎn)品不含有害物質(zhì)