EM78P156KD18J 156KSO18J
1 概述
EM78P156K是采用低功耗高速CMOS工藝設計開發(fā)的8位微控制器。其內(nèi)部包含1024 ×13位一次性可編程只
讀存儲器(OTP-ROM).它還提供一個加密位來防止用戶程序被侵入.同時有3個代碼選擇子來滿足用戶需求.
由于具有一次性可編程可編程存儲器的特性, EM78P156K能夠提供一種方便的途徑來開發(fā)和檢驗用戶的程
序. 另外, 它還提供了簡單和有效的程序更新,使用開發(fā)和編程工具.用戶可用ELAN燒錄器輕松燒錄他們的程
序.
2 產(chǎn)品特性
CPU 配置
k × 13 位片內(nèi) ROM
× 8 位片內(nèi)寄存器(SRAM, 通用寄存器)
級堆棧用于子程序嵌套
V/4MHz工作條件下電流低于1.5mA
V/16kHz工作條件下電流典型值為15 μA
休眠模式下電流典型值為1μA
端口配置
組雙向 I/O 端口 : P5, P6
個I/O 引腳
喚醒端口 : P6
個可編程下拉I/O 引腳(P50 ~ P52, P60 ~ P63)
個可編程上拉I/O 引腳(P60 ~ P67)
個可編程漏極開路 I/O 引腳(P60 ~ P67)
個可編程R-option引腳
外部中斷: P60
工作電壓范圍:
在0~70°C為 2.1V~5.5V (商業(yè)級)
在-40~85°C為 2.3V~5.5V (工業(yè)級)
工作頻率范圍 (基于 2 個時鐘):
晶振模式:
DC ~ 20MHz / 2clks 5V
DC ~ 8MHz / 2clks 3V
DC ~ 4MHz / 2clks 2.1V
外部RC模式:
DC ~ 2MHz / 2clks 2.1V
內(nèi)部RC模式:
漂移率
內(nèi)部
RC 頻率溫度
(-40~85°C) 電壓制程 總計
4 MHz ± 1% ±~5.5V ± 2% ± 6%
16 MHz ± 1% ±~5.5V ± 2% ± 4%
8 MHz ± 1% ±~5.5V ± 2% ± 5%
1 MHz ± 1% ±~5.5V ± 2% ± 6%
外設配置
位可以選擇時鐘源、邊沿觸發(fā)和溢出中
斷的實時時鐘/計數(shù)器
上電復位及3級可編程低電壓復位
POR: 1.8V (默認), LVRV
可通過代碼選項寄存器選擇每條指令為2 / 4
個時鐘周期
高 EFT 抗干擾
個中斷:
TCC 溢出中斷
輸入狀態(tài)改變中斷 (從休眠模式喚醒)
外部中斷
特性
可編程的自由運行的看門狗定時器
省電休眠模式
可選擇的振蕩模式
封裝類型:
引腳DIP 300mil : EM78P156KD18J
引腳SOP 300mil : EM78P156KSO18J
引腳SSOP 209mil : EM78P156KJSS20J
注意: 綠色產(chǎn)品不包含有害物質(zhì)
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