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EM78P156KD18J 156KSO18J

  • 發(fā)布時間:2023-09-12 11:43:32,加入時間:2014年05月14日(距今4149天)
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1 概述 EM78P156K是采用低功耗高速CMOS工藝設計開發(fā)的8位微控制器。其內(nèi)部包含1024 ×13位一次性可編程只 讀存儲器(OTP-ROM).它還提供一個加密位來防止用戶程序被侵入.同時有3個代碼選擇子來滿足用戶需求. 由于具有一次性可編程可編程存儲器的特性, EM78P156K能夠提供一種方便的途徑來開發(fā)和檢驗用戶的程 序. 另外, 它還提供了簡單和有效的程序更新,使用開發(fā)和編程工具.用戶可用ELAN燒錄器輕松燒錄他們的程 序. 2 產(chǎn)品特性 CPU 配置 k × 13 位片內(nèi) ROM × 8 位片內(nèi)寄存器(SRAM, 通用寄存器) 級堆棧用于子程序嵌套 V/4MHz工作條件下電流低于1.5mA V/16kHz工作條件下電流典型值為15 μA 休眠模式下電流典型值為1μA 端口配置 組雙向 I/O 端口 : P5, P6 個I/O 引腳 喚醒端口 : P6 個可編程下拉I/O 引腳(P50 ~ P52, P60 ~ P63) 個可編程上拉I/O 引腳(P60 ~ P67) 個可編程漏極開路 I/O 引腳(P60 ~ P67) 個可編程R-option引腳 外部中斷: P60 工作電壓范圍: 在0~70°C為 2.1V~5.5V (商業(yè)級) 在-40~85°C為 2.3V~5.5V (工業(yè)級) 工作頻率范圍 (基于 2 個時鐘): 晶振模式: DC ~ 20MHz / 2clks 5V DC ~ 8MHz / 2clks 3V DC ~ 4MHz / 2clks 2.1V 外部RC模式: DC ~ 2MHz / 2clks 2.1V 內(nèi)部RC模式: 漂移率 內(nèi)部 RC 頻率溫度 (-40~85°C) 電壓制程 總計 4 MHz ± 1% ±~5.5V ± 2% ± 6% 16 MHz ± 1% ±~5.5V ± 2% ± 4% 8 MHz ± 1% ±~5.5V ± 2% ± 5% 1 MHz ± 1% ±~5.5V ± 2% ± 6% 外設配置 位可以選擇時鐘源、邊沿觸發(fā)和溢出中 斷的實時時鐘/計數(shù)器 上電復位及3級可編程低電壓復位 POR: 1.8V (默認), LVRV 可通過代碼選項寄存器選擇每條指令為2 / 4 個時鐘周期 高 EFT 抗干擾 個中斷: TCC 溢出中斷 輸入狀態(tài)改變中斷 (從休眠模式喚醒) 外部中斷 特性 可編程的自由運行的看門狗定時器 省電休眠模式 可選擇的振蕩模式 封裝類型: 引腳DIP 300mil : EM78P156KD18J 引腳SOP 300mil : EM78P156KSO18J 引腳SSOP 209mil : EM78P156KJSS20J 注意: 綠色產(chǎn)品不包含有害物質(zhì)

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