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回收工廠閑置/倒閉電子儀器，個(gè)人處理儀器，歡迎來(lái)電.
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吉時(shí)利2602B 美國(guó)吉時(shí)利keithley源表SMU， MOS 電容器
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – 大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測(cè)量電壓 - 時(shí)間圖，用低電流源)； 氧化層電容測(cè)定； 與 C-V 曲線比較。
C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài))

詳細(xì)說(shuō)明
中國(guó)電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，技術(shù)支持Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供解決方案、測(cè)試測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、技術(shù)培訓(xùn)、采購(gòu)管理、維修服務(wù)。
吉時(shí)利KEITHLEY2600B系列源表研究領(lǐng)域：
各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：
離散和無(wú)源元件
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）等等
簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開(kāi)關(guān)、傳感器
集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC
–射頻集成電路（RFIC）
–專用集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
圓片級(jí)可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
太陽(yáng)能電池
電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測(cè)器
電路保護(hù)器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開(kāi)關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機(jī)電子
基本運(yùn)放電路
二極管和電路
晶體管電路
測(cè)試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測(cè)試
直流電源
HIPOT