綜述 EM78P301N是采用低功耗高速CMOS工藝設(shè)計開發(fā)的8位微控制器。該控制器有片內(nèi)1KX13位一 次性編程ROM(OTP-ROM)。它提供一個保護(hù)位用以保護(hù)用戶在OTP存儲器內(nèi)的程序不被讀取，三 個代碼選項以滿足用戶的需要. 基于增強(qiáng)的OTP-ROM特性，EM78P301N可方便地開發(fā)和校驗用戶代碼，另外，使用開發(fā)與編程 工具，使此OTP代碼更新更加簡單和有效，用戶可利用義隆燒錄器很容易地?zé)�錄其開發(fā)代碼. 產(chǎn)品特性 &#; CPU 配置 • 1K×13位片內(nèi)ROM • 80×8位片內(nèi)寄存器(SRAM) • 8-級堆棧用于子程序嵌套 • 5V/4 MHz 工作條件下耗電流低于 1.5 mA • 3V/32kHz 工作條件下耗電流典型值為 15 μA • 休眠模式下耗電流典型值為 2 μA &#; I/O端口配置 • 3組雙向I/O端口: P5, P6, P7 • 12 I/O引腳 • 喚醒端口: P5 • 8個可編程下拉I/O引腳(P50~P57) • 10個可編程上拉I/O引腳(P50~P57, P60, P67) • 2個可編程漏極開路I/O引腳(P60, P67) • 8個可編程高灌I/O引腳(P50~P57, P60, P67) • 外部中斷 : P60 &#; 工作電壓范圍: • 2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商規(guī)) • 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工規(guī)) &#; 工作頻率范圍(基于2個時鐘周期): • 晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V; DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V • ERC 模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V; • IRC 模式 振蕩模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz 快速啟動時間，在XT模式(VDD: 5V, 晶振: 4 MHz, C1/C2: 15pF)下只需0.8ms, 在IRC模式(VDD: 5V, IRC: 4 MHz) 下只需10μs &#; 外設(shè)配置 • 8位實時時鐘/計數(shù)器 (TCC)，其時鐘源、邊沿觸發(fā)和溢 出中斷可選 • 4個可編程低電壓檢測 (LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V • 上電復(fù)位和三個可編程電平復(fù)位 POR: 1.8V (默認(rèn)), LVR: 4.0, 3.5, 2.7V • 8通道解析度為12位參考電壓為(2/3/4v)的模數(shù)轉(zhuǎn)換 器 • 兩個脈寬調(diào)制器 (PWM)，8位分辨率 &#; 9個可用中斷 • TCC 溢出中斷 • 輸入端口狀態(tài)改變中斷(可喚醒休眠模式) • 外部中斷 • ADC 轉(zhuǎn)換完成中斷 • 低電壓檢測(LVD) 中斷 • PWM1~2 周期匹配中斷 • PWM1~2 占空比匹配中斷 &#; 特性 • 可編程的自由運行看門狗定時器 (4.5 ms : 18 ms) • 休眠省電模式 • 上電電壓偵測器 • 高抗EFT特性 (4MHz及以下抗EFT性能更好) &#; 封裝類型: • 10-pin MSOP 118mil : EM78P301NMS10J • 14-pin DIP 300mil : EM78P301ND14J • 14-pin SOP 150mil : EM78P301NSO14J 注意: 綠色產(chǎn)品不含有害物質(zhì). 電話： QQ: