綜述 EM78P372N 是采用低功耗高速CMOS 工藝設計開發(fā)的8 位微控制器。該控制器有片內2KX13 位一次性編程 ROM(OPT-ROM)。它提供一個保護位用以保護用戶在OTP 存儲器內的程序不被讀取，三個代碼選項以滿足 用戶的需要。 基于增強的OTP-ROM 特性，EM78P372N 可方便地開發(fā)和校驗用戶代碼，另外，使用開發(fā)與編程工具，使 此OTP 代碼更新更加簡單和有效，用戶可利用義隆燒錄器很容易地燒錄其開發(fā)代碼。 產品特性 &#; CPU 配置 • 2K×13 位片內 ROM • 80×8位片內寄存器 (SRAM) • 8級堆棧用于子程序嵌套 • 4級可編程電壓檢測(LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V • 3級可編程電壓復位(LVR) : 4.0V, 3.5V, 2.7V • 5V/4 MHz 工作條件下耗電流低于 1.5 mA • 3V/32kHz 工作條件下耗電流典型值為 15 μA • 休眠模式下耗電流典型值為 2 μA &#; I/O 端口配置 • 3 組雙向I/O端口: P5, P6, P7 • 18 I/O 引腳 • 喚醒端口: P5 • 8 個可編程下拉I/O引腳 • 16 個可編程上拉I/O引腳 • 8 個可編程漏極開路I/O引腳 • 14 個可編程高灌I/O引腳 • 外部中斷: P60 &#; 工作電壓范圍: • 2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商規(guī)) • 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工規(guī)) &#; 工作頻率范圍(基于2個時鐘周期): • 晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V; DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V • ERC模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V; • IRC 模式 振蕩模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz 快速啟動時間，在XT模式(VDD: 5V, 晶振: 4 MHz, C1/C2: 15pF)下只需0.8ms, 在IRC模式(VDD: 5V, IRC: 4 MHz)下 只需10μs。 &#; 外設配置 • 8位實時時鐘/計數(shù)器 (TCC)，其時鐘源、邊沿觸發(fā)和溢 出中斷可選 • 8通道解析度為12位的模數(shù)轉換器 • 一對比較器或OP(偏移電壓: 小于10mV) • 兩個脈寬調制器 (PWM)，8位分辨率 &#; 10個可用中斷 • TCC 溢出中斷 • 輸入端口狀態(tài)改變中斷（可喚醒休眠模式） • 外部中斷 • ADC 轉換完成中斷 • 比較器狀態(tài)改變中斷 • 低電壓檢測(LVD) 中斷 • PWM1~2 周期匹配中斷 • PWM1~2 占空比匹配中斷 &#; 特性: • 可編程的自由運行看門狗定時器 (4.5 ms : 18 ms) • 休眠省電模式 • 上電電壓偵測器(1.9V ± 0.2V) • 高抗EFT特性 (4MHz及以下抗EFT性能更好) &#; 封裝類型: • 10-pin MSOP 118mil : EM78P372NMS10J/S • 10-pin SSOP 150mil : EM78P372NSS10J/S • 14-pin DIP 300mil : EM78P372ND14J/S • 14-pin SOP 150mil : EM78P372NSO14J/S • 16-pin SOP 150mil : EM78P372NSO16AJ/S • 18-pin DIP 300mil : EM78P372ND18J/S • 18-pin SOP 300mil : EM78P372NSO18J/S • 20-pin DIP 300mil : EM78P372ND20J/S • 20 pin SOP 300mil : EM78P372NSO20J/S • 20 pin SSOP 209mil : EM78P372NSS20J/S 電話： QQ: