說(shuō)明 ,RX22010整流模塊
RX22010電源模塊說(shuō)明
.4 K1B07功能說(shuō)明 A. 保護(hù)功能 輸出過(guò)壓保護(hù) 輸出電壓過(guò)高對(duì)用電設(shè)備會(huì)造成災(zāi)難性事故為杜絕此類(lèi)情況發(fā)生我公司的高頻模塊內(nèi)有過(guò)壓保護(hù)電路出現(xiàn)過(guò)壓后模塊自動(dòng)死鎖相應(yīng)模塊故障指示燈亮故障模塊自動(dòng)退出工作而不影響整個(gè)系統(tǒng)正常運(yùn)行過(guò)壓保護(hù)點(diǎn)設(shè)為320V±2VK1B07。 輸出限流保護(hù) 每個(gè)模塊的輸出功率受到限制輸出電流不能無(wú)限增大因此每個(gè)模塊輸出電流限制為額定輸出電流的1.05倍如果超負(fù)荷模塊自動(dòng)調(diào)低輸出電壓以保護(hù)模塊。 短路保護(hù) 整流模塊輸出特性如下圖輸出短路時(shí)模塊在瞬間把輸出電壓拉低到零限制短路電流在限流點(diǎn)之下此時(shí)模塊輸出功率很小以達(dá)到保護(hù)模塊的目的。模塊可長(zhǎng)期工作在短模塊前面通風(fēng)孔 故障 工作 指示 把手 模塊后面輸出電壓調(diào)節(jié) 輸入輸出插座 導(dǎo)向孔 風(fēng)扇 - 5 - 路狀態(tài)不會(huì)損壞排除故障后模塊可自動(dòng)恢復(fù)工作。 模塊并聯(lián)保護(hù) 每個(gè)模塊內(nèi)部均有并聯(lián)保護(hù)電路絕對(duì)保證故障模塊自動(dòng)退出系統(tǒng)而不影響其它正常模塊工作。模塊并機(jī)輸出示意圖如下圖所示。 過(guò)溫保護(hù) 過(guò)溫保護(hù)主要是保護(hù)大功率變流器件這些器件的結(jié)溫和電流過(guò)載能力均有安全極限值正常工作情況下系統(tǒng)設(shè)計(jì)留有足夠余量但在一些特殊條件下如環(huán)境溫度過(guò)高、風(fēng)機(jī)停轉(zhuǎn)等情況模塊檢測(cè)散熱器溫度超過(guò)85℃時(shí)會(huì)自動(dòng)關(guān)機(jī)保護(hù)溫度降低到70℃時(shí)模塊自動(dòng)啟動(dòng)。 過(guò)流保護(hù) 過(guò)流保護(hù)主要保護(hù)大功率變流器件在變流的每一個(gè)周期如果通過(guò)電流超過(guò)器件承受電流關(guān)閉功率器件達(dá)到保護(hù)功率器件的目的。過(guò)流保護(hù)可自動(dòng)恢復(fù)。 B. 設(shè)置功能 電壓調(diào)節(jié)功能 負(fù)載增大 I 整流模塊輸出特性 V 輸出短路 模塊并機(jī)輸出示意圖 整流模塊N ··· + - 并聯(lián)保護(hù)電路 整流模塊2 并聯(lián)保護(hù)電路 整流模塊1 并聯(lián)保護(hù)電路 - 6 - 在模塊的后面有輸出電壓調(diào)節(jié)電位器在無(wú)模塊監(jiān)控時(shí)可調(diào)節(jié)此電位器改變輸出電壓。在有模塊監(jiān)控時(shí)輸出電壓由監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)定電位器調(diào)節(jié)無(wú)效。 無(wú)級(jí)限流 通過(guò)監(jiān)控系統(tǒng)可在20% - 105%額定電流內(nèi)任意設(shè)置限流點(diǎn)。 遙控功能 可遙控模塊的開(kāi)/關(guān)機(jī)、均/浮充電壓轉(zhuǎn)換。 1.5 K1B07模塊技術(shù)特色 A. 帶電熱插拔技術(shù) 我公司通過(guò)長(zhǎng)期研究解決了大電流連接及帶電連接的器件保護(hù)等問(wèn)題。整流模塊設(shè)計(jì)成可帶電插拔使模塊的更換極為方便更換一個(gè)模塊最多只需30秒鐘使系統(tǒng)維護(hù)變得安全、簡(jiǎn)單、高效。 B. ZVS軟開(kāi)關(guān)技術(shù) 為了使開(kāi)關(guān)電源能夠在高頻下高效率地運(yùn)行我公司不斷研究開(kāi)發(fā)高頻軟開(kāi)關(guān)技術(shù)已開(kāi)發(fā)成功ZVS邊緣諧振技術(shù)使開(kāi)關(guān)過(guò)程損耗大為降低從而進(jìn)一步減小體積、減輕重量、極大提高模塊性能。 a. ZVS軟開(kāi)關(guān)優(yōu)點(diǎn) 開(kāi)關(guān)損耗小 可實(shí)現(xiàn)高頻化極限頻率可做到1-2M、開(kāi)關(guān)過(guò)程在平滑狀態(tài)下實(shí)現(xiàn) 恒頻運(yùn)行諧波成份小 無(wú)吸收電路 功率管的電流、電壓應(yīng)力小 b. ZVS軟開(kāi)關(guān)基本原理 硬開(kāi)關(guān)過(guò)程和ZVS軟開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)過(guò)程比較如下圖。 VDS I VDS I 硬開(kāi)關(guān)過(guò)程 ZVS軟開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)過(guò)程 - 7 - 功率MOSFET損耗由三部分組成開(kāi)通損耗、關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗組成硬開(kāi)關(guān)在開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流同時(shí)變化即存在高壓大電流的狀態(tài)此時(shí)損耗很大導(dǎo)致整機(jī)效率低功率管溫升高一般需要加吸收電路以轉(zhuǎn)移開(kāi)關(guān)損耗。 ZVS軟開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)過(guò)程中開(kāi)通時(shí)VDS降到0V時(shí)電流上升關(guān)斷時(shí)電流降到0A時(shí)VDS上升因而理論上無(wú)開(kāi)關(guān)損耗雖然實(shí)際中VDS和電流變化還是會(huì)有一定的重迭但開(kāi)關(guān)損耗和硬開(kāi)關(guān)相比較大大降低。 ZVS軟開(kāi)關(guān)的電壓和電流的變化平滑VDS無(wú)過(guò)沖因而輸出諧波成份小、電磁干擾小。 2、 使用環(huán)境 2.1 在海拔2000米以下工作。 2.2 環(huán)境溫度不低于-10℃不高于+40℃設(shè)備存儲(chǔ)的環(huán)境溫度允許為-40℃~+60℃。 2.3環(huán)境相對(duì)濕度不超過(guò)90%環(huán)境溫度50℃。 2.4 運(yùn)行地點(diǎn)無(wú)導(dǎo)電塵埃沒(méi)有腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸氣。 2.5 在室內(nèi)場(chǎng)合下使用。 2.6 不符合以上條件的特殊使用單位應(yīng)定貨時(shí)提出以保證本產(chǎn)品能夠可靠地工作。